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MOS管驅動(dòng)電阻器,和雙極浸提管不同的點(diǎn),在于MOS管是電壓控制型器件,在應用過(guò)程中,相當于一個(gè)開(kāi)關(guān),漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,它的驅動(dòng)會(huì )相對比較復雜一些。
MOS管導通=開(kāi)關(guān)閉合,導通后即有導通電阻,電流通過(guò)產(chǎn)生消耗能量,即導通損耗。
應用選擇:MOS管導通小電阻。
MOS管場(chǎng)效應管開(kāi)關(guān)速度:導通與截止有一個(gè)過(guò)程,兩端電壓下降過(guò)程,流過(guò)的電流上升過(guò)程,此時(shí)
電壓X電流=MOS管損耗 即開(kāi)關(guān)損耗
開(kāi)關(guān)損耗 > 導通損耗
開(kāi)關(guān)頻率越快,損耗越大
實(shí)際應用減小開(kāi)關(guān)損耗方法
縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間:可減小每次導通時(shí)損耗;
降低開(kāi)關(guān)頻率:可減小單位時(shí)間內開(kāi)與關(guān)的次數
柵極電壓VGS
MOS管場(chǎng)效應管GS與GD間存有寄生電容,驅動(dòng)MOS管實(shí)際是此電容充放電;
因電阻值大小影響開(kāi)關(guān)速度,即影響MOS管開(kāi)關(guān)損耗,MOS管場(chǎng)效應管柵極電阻器的電阻值應當選擇最適合的。
MOS管在線(xiàn)性區即電壓低于夾斷電壓中運行,此時(shí)導通電阻較低,
開(kāi)關(guān)應用:可在低VDS區中用MOS管降低導通電阻。
柵極電壓VGS >閾值電壓Vth,MOS管導通。
VGS越高,RDS(ON)值越低
溫度越高,RDS(ON)值越高
減少損耗方法:
VGS增大,減小電子元器件應用時(shí)電流水平下電阻,即降低穩態(tài)損耗;
VGS值高,使高頻開(kāi)關(guān)下驅動(dòng)損耗與總損耗比率增大,因此選擇合適的MOS管及柵極驅動(dòng)電壓很重要,常用導通電壓Vth:4V,10V
柵極電阻器如何選擇
MOS管場(chǎng)效應管柵極端子上連接電阻器
此柵極電阻器作用:抑制尖峰電流 + 減少輸出振鈴
柵極電阻器大:降低開(kāi)關(guān)速度,即會(huì )使功率損耗增大+性能降低+發(fā)熱;
柵極電阻器?。禾岣唛_(kāi)關(guān)速度,即會(huì )引發(fā)電壓尖峰和振蕩 + 電子元器件損壞或故障;
解決方案:
1.選擇最佳柵極電阻器;
2.調節柵極電阻器值,改善開(kāi)關(guān)速度;
3.用不同柵極電阻器開(kāi)通或關(guān)斷MOS管場(chǎng)效應管;
雖然驅動(dòng)電路比較復雜,MOS管的開(kāi)關(guān)特性獨一無(wú)二,無(wú)法取代的,MOS管從開(kāi)關(guān)電源、馬達驅動(dòng)、照明調光向汽車(chē)電子、新能源電力方面做相應的推廣。
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