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MOS管驅動(dòng)電阻器，和雙極浸提管不同的點(diǎn)，在于MOS管是電壓控制型器件，在應用過(guò)程中，相當于一個(gè)開(kāi)關(guān)，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管，它的驅動(dòng)會(huì )相對比較復雜一些。

MOS管導通=開(kāi)關(guān)閉合，導通后即有導通電阻，電流通過(guò)產(chǎn)生消耗能量，即導通損耗。

應用選擇：MOS管導通小電阻。

MOS管場(chǎng)效應管開(kāi)關(guān)速度：導通與截止有一個(gè)過(guò)程，兩端電壓下降過(guò)程，流過(guò)的電流上升過(guò)程，此時(shí)

電壓X電流=MOS管損耗 即開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)損耗 > 導通損耗

開(kāi)關(guān)頻率越快，損耗越大

實(shí)際應用減小開(kāi)關(guān)損耗方法

縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間：可減小每次導通時(shí)損耗；

降低開(kāi)關(guān)頻率：可減小單位時(shí)間內開(kāi)與關(guān)的次數

柵極電壓VGS

MOS管場(chǎng)效應管GS與GD間存有寄生電容，驅動(dòng)MOS管實(shí)際是此電容充放電；

因電阻值大小影響開(kāi)關(guān)速度，即影響MOS管開(kāi)關(guān)損耗，MOS管場(chǎng)效應管柵極電阻器的電阻值應當選擇最適合的。

MOS管在線(xiàn)性區即電壓低于夾斷電壓中運行，此時(shí)導通電阻較低，

開(kāi)關(guān)應用：可在低VDS區中用MOS管降低導通電阻。

柵極電壓VGS >閾值電壓Vth，MOS管導通。

VGS越高，RDS(ON)值越低

溫度越高，RDS(ON)值越高

減少損耗方法：

VGS增大，減小電子元器件應用時(shí)電流水平下電阻，即降低穩態(tài)損耗；

VGS值高，使高頻開(kāi)關(guān)下驅動(dòng)損耗與總損耗比率增大，因此選擇合適的MOS管及柵極驅動(dòng)電壓很重要，常用導通電壓Vth：4V，10V

柵極電阻器如何選擇

MOS管場(chǎng)效應管柵極端子上連接電阻器

此柵極電阻器作用：抑制尖峰電流 + 減少輸出振鈴

柵極電阻器大：降低開(kāi)關(guān)速度，即會(huì )使功率損耗增大+性能降低+發(fā)熱；

柵極電阻器?。禾岣唛_(kāi)關(guān)速度，即會(huì )引發(fā)電壓尖峰和振蕩 + 電子元器件損壞或故障；

解決方案：

1.選擇最佳柵極電阻器；

2.調節柵極電阻器值，改善開(kāi)關(guān)速度；

3.用不同柵極電阻器開(kāi)通或關(guān)斷MOS管場(chǎng)效應管；

雖然驅動(dòng)電路比較復雜，MOS管的開(kāi)關(guān)特性獨一無(wú)二，無(wú)法取代的，MOS管從開(kāi)關(guān)電源、馬達驅動(dòng)、照明調光向汽車(chē)電子、新能源電力方面做相應的推廣。