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設計MOS管開(kāi)關(guān)電路，通常會(huì )考慮它的導通電阻、最大電壓和電流，僅僅考慮這些事完全不夠的，正常情況下，電路也可以使用，不需要這些因素。而真正重要的因素，是考慮驅動(dòng)電路，它會(huì )影響MOS管的開(kāi)關(guān)性能。

MOS管的驅動(dòng)電路有兩個(gè)要點(diǎn)：

1、瞬態(tài)驅動(dòng)電流要夠大，所謂驅動(dòng)MOS管，主要就是對MOS管門(mén)極的寄生電容的充電放電，也就是打開(kāi)和關(guān)閉MOS管

2、NMOS的Vgs(門(mén)-源電壓)高于4V即可導通，PMOS的Vgs(門(mén)-源電壓)低于4V即可導通

直接驅動(dòng)NMOS

R1為負載

僅適用于NMOS低端驅動(dòng)，因為NMOS導通的條件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波剛好滿(mǎn)足要求（3.3V的低壓?jiǎn)纹瑱C這里就有無(wú)法完全打開(kāi)NMOS的風(fēng)險，表現為MOS發(fā)熱，或者負載兩端電壓過(guò)低）

推挽輸出（圖騰柱式驅動(dòng)）

R1為負載

這個(gè)電路是共射極放大電路，主要是起到放大MOS管門(mén)極的驅動(dòng)電流，不能放大電壓，

適用于NMOS低端驅動(dòng)，單片機直接驅動(dòng)MOS管的門(mén)極時(shí)，電流不夠，開(kāi)關(guān)速度過(guò)慢，MOS管發(fā)熱時(shí)，可以增加驅動(dòng)電流，實(shí)現更快速的MOS管的開(kāi)關(guān)

一種變換電壓的推挽式驅動(dòng)電路

R3為負載

如果采用PMOS作為高端驅動(dòng)的話(huà)，那么關(guān)斷PMOS就要使門(mén)極電壓至少等于源極電壓

采用兩個(gè)NPN三極管+ 一個(gè)二極管，實(shí)現給PMOS門(mén)極0V~12V的快速變換

當然也可以用于NMOS的低端驅動(dòng)

此電路同時(shí)適用于3.3V輸出的單片機

采用半橋芯片實(shí)現半橋驅動(dòng)電路

EG3013等半橋芯片的好處是：

1、可以使用兩個(gè)NMOS實(shí)現半橋電路，便宜

2、自舉升壓電路，方便

3、自帶死區控制（避免兩個(gè)MOS同時(shí)導通），安全

缺點(diǎn)嘛。。。有點(diǎn)慢，高頻閃爍來(lái)控制亮度的話(huà)，不太行，如果是控制電機正反轉，低頻啟停用電器話(huà)，肯定是沒(méi)問(wèn)題的。而且，不一定是用來(lái)做半橋，單拿出一路也能直接驅動(dòng)NMOS，做高低端驅動(dòng)都可以。

驅動(dòng)電路它的特性，決定了MOS管的性能，這部分的因素還是比較大的。對于這部分的內容，上述已經(jīng)講了很具體了，大家可以了解一下。