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通過(guò)MOS功率管產(chǎn)生交流電信號，產(chǎn)生電流進(jìn)一步的進(jìn)行驅動(dòng)，它的驅動(dòng)功能遠大于單片機功能。那么，半橋驅動(dòng)電路的工作原理是怎么樣的呢？

電容器C1和C2與開(kāi)關(guān)管Q1、Q2組成橋，橋的對角線(xiàn)接變壓器T1的原邊繞組，故稱(chēng)半橋變換器。如果此時(shí)C1=C2，那么當某一開(kāi)關(guān)管導通時(shí)，繞組上的電壓只有電源電壓的一半。

電路的工作過(guò)程大致如下：

參照半橋電路的基本拓撲電路圖，其中Q1開(kāi)通，Q2關(guān)斷，此時(shí)變壓器兩端所加的電壓為母線(xiàn)電壓的一半，同時(shí)能量由原邊向副邊傳遞。

Q1關(guān)斷，Q2關(guān)斷，此時(shí)變壓器副邊兩個(gè)繞組由于整流二極管兩個(gè)管子同時(shí)續流而處于短路狀態(tài)，原邊繞組也相當于短路狀態(tài)。

Q1關(guān)斷，Q2開(kāi)通。此時(shí)變壓器兩端所加的電壓也基本上是母線(xiàn)電壓的一半，同時(shí)能量由原邊向副邊傳遞。副邊兩個(gè)二極管完成換流。

應注意的幾點(diǎn)問(wèn)題

偏磁問(wèn)題

原因：由于兩個(gè)電容連接點(diǎn)A的電位是隨Q1、Q2導通情況而浮動(dòng)的，所以能夠自動(dòng)的平衡每個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)的伏秒值，當浮動(dòng)不滿(mǎn)足要求時(shí)，假設 Q1、Q2具有不同的開(kāi)關(guān)特性，即在相同的基極脈沖寬度t=t1下，Q1關(guān)斷較慢，Q2關(guān)斷較快，則對B點(diǎn)的電壓就會(huì )有影響，就會(huì )有有灰色面積中A1、 A2的不平衡伏秒值，原因就是Q1關(guān)斷延遲。

如果要這種不平衡的波形驅動(dòng)變壓器，將會(huì )發(fā)生偏磁現象，致使鐵心飽和并產(chǎn)生過(guò)大的晶體管集電極電流，從而降低了變換器的效率，使晶體管失控，甚至燒毀。

在變壓器原邊串聯(lián)一個(gè)電容的工作波形圖

解決辦法：在變壓器原邊線(xiàn)圈中加一個(gè)串聯(lián)電容C3，則與不平衡的伏秒值成正比的直流偏壓將被次電容濾掉，這樣在晶體管導通期間，就會(huì )平衡電壓的伏秒值，達到消除偏磁的目的。

用作橋臂的兩個(gè)電容選用問(wèn)題：

從半橋電路結構上看，選用橋臂上的兩個(gè)電容C1、C2時(shí)需要考慮電容的均壓?jiǎn)?wèn)題，盡量選用C1=C2的電容，那么當某一開(kāi)關(guān)管導通時(shí)，繞組上的電壓只有電源電壓的一半，達到均壓效果，一般情況下，還要在兩個(gè)電容兩端各并聯(lián)一個(gè)電阻(原理圖中的R1和R2)并且R1=R2進(jìn)一步滿(mǎn)足要求，此時(shí)在選擇阻值和功率時(shí)需要注意降額。此時(shí)，電容C1、C2的作用就是用來(lái)自動(dòng)平衡每個(gè)開(kāi)關(guān)管的伏秒值，(與C3的區別：C3是濾去影響伏秒平衡的直流分量)。

直通問(wèn)題

所謂直通，就是Q1、Q2在某一時(shí)刻同時(shí)導通的現象，此時(shí)會(huì )構成短路。

解決措施

可以對驅動(dòng)脈沖寬度的最大值加以限制，使導通角度不會(huì )產(chǎn)生直通。

還可以從拓撲上解決問(wèn)題，才用交叉耦合封閉電路，使一管子導通時(shí)，另一管子驅動(dòng)在封閉狀態(tài)，直到前一個(gè)管子關(guān)斷，封閉才取消，后管才有導通的可能，這種自動(dòng)封鎖對存儲時(shí)間、參數分布有自動(dòng)適應的優(yōu)點(diǎn)，而且對占空比可以滿(mǎn)度使用的。

兩個(gè)電路的選擇主要是考慮以下兩點(diǎn)：

1、根據輸出電壓的高低，考慮管子的安全問(wèn)題;

2、功率損耗的問(wèn)題，主要是開(kāi)關(guān)管和副邊繞組的損耗問(wèn)題;

驅動(dòng)電路的相關(guān)問(wèn)題，也有對應的解決方案，針對上述講的幾點(diǎn)，可以從中參考一下，這樣就會(huì )更加的清楚一些。